Лучший инженер работает на РЗ ОЦМ

Главный специалист отдела организационной эффективности Максим Ивкин получил звание «Инженер года-2021» в номинации «Цветная металлургия» во всероссийском конкурсе, который представляет собой крупнейший социальный проект для выявления передового опыта и достижений лучших инженерных кадров.

В состав жюри и экспертных комиссий вошли авторитетные российские ученые, конструкторы, инженеры и организаторы производств: члены Российской академии наук, руководители институтов и предприятий.

На конкурс подали заявки более 70 тысяч человек из 63 регионов России. Участники представляли ведущие отечественные предприятия, организации и технические вузы России: Ростех, Роскосмос, Роснано, Росатом, Газпром, КАМАЗ, Северсталь, НЛМК, Магнитогорский металлургический комбинат, предприятия УГМК и многие другие.

Состязание проходило в три этапа. В первом туре администрация завода выбрала кандидатуру Максима Ивкина, чтобы представить РЗ ОЦМ на конкурсе. Второй этап — областной, а третий — федеральный. В заключительном туре принимали участие 615 человек.

В качестве награды Максим получил диплом «Инженер года в номинации «Цветная металлургия», памятную медаль и нагрудный знак «Лауреат конкурса». Имя ревдинского инженера занесено в Реестр профессиональных инженеров России.

Коротко о достижениях Максима Ивкина:

• разработал и внедрил технологию производства более 10 новых сплавов;

• значительно расширил номенклатурный ряд производимых слитков;

• участвовал в разработке кристаллизатора новой конструкции, что значительно сократило уровень брака;

• его идеи и предложения позволили в кратчайшие сроки освоить выпуск продукции для военно-промышленного комплекса и программ по импортозамещению.

• активно занимается разработкой составов покровных флюсов;

• автор и соавтор трех рационализаторских предложений, одно из которых повысило выход годного на 10% при производстве продукции из алюминиевых бронз. Экономический эффект только в 2021 году составил более 2,2 млн. руб.

• автор 15 научных работ, в том числе одного патента на изобретение.